Защо да се доверите на бизнеса си на нас?
Ние изваждаме паниката от обществените поръчки. Ние съхраняваме милиони трудно откриваеми части от нашите надеждни източници. Освежаваме нашите списъци с продукти по минути, а онлайн покупките се извършват в реално време и се доставят всеки ден.
Основана през 2002 г., MFGChips е местен лидер в дистрибуцията на електронни компоненти и освен това е призната за една от най-уважаваните и иновативни компании на местния пазар днес. Със седалище в Хонг Конг, MFGChips спечели впечатляваща репутация за предоставянето на изключителни услуги и разработването на ефективни, цялостни решения за световната верига на доставки.
Научете повече >
Семейство sic mosfet за преобразуване на мощност
AEC-Q101 Квалифицирани голи матрици и дискретни пакетирани устройства претърпяват скрининг на WLBI и се тестват за напрежение на разпадане на лавина над 2200 V.
Semiq Inc., въведе ново семейство от 1700 V SIC MOSFET, предназначени да подобрят приложенията за преобразуване на средно напрежение със средно напрежение.Те включват фотоволтаични и вятърни инвертори, съхранение на енергия, електрическо превозно средство (EV) и крайпътно зареждане, непрекъснати захранващи устройства (UPS) и индукционни системи за отопление/заваряване.
Високоскоростните QSIC 1700 V MOSFET разполагат с равнинен дизайн на D-MOSFET, оптимизиране на размера на системата, плътността на мощността и ефективността на разходите в мащабни приложения.Техният надежден диод на тялото работи до 175 ° C, като компонентите строго се тестват, за да надхвърлят 1900 V, а UL Avalanche тествана до 600 MJ, като гарантира издръжливост и стабилна работа.
Основните спецификации са:
Алуминиева горна страна, никел/сребърна долна страна
Разсейване на мощността: 564 W
Непрекъснато изтичане на ток: 83 A @ 25 ° C
Импулсен дренажен ток: 250 a
Прагово напрежение на портата: 2.7 V @ 25 ° C
Rdson: 31 MΩ @ 25 ° C
Бързо време за възстановяване на обратното: 17 ns
Изтичане на нисък източник на порта
Предлага се както в Bare Die (GP2T030A170X) и TO-247-4L пакетирани форми (GP2T030A170H), QSIC 1700 V устройствата също се предлагат в AEC-Q101 автомобилна версия (AS2T030A170X и AS2T030A170H).Тези устройства предлагат ниски загуби на превключване и проводимост, намален капацитет и здрав оксид на портата за повишена дългосрочна надеждност.Всички компоненти се подлагат на изгаряне на ниво вафли (WLBI), за да елиминират слабите оксидни устройства, гарантирайки оптимална производителност.
Освен това Semiq обяви три модула за захранване, предназначени да опростят системната интеграция.Те включват стандартен отпечатък 62 мм полу-мостов модул с изолирана основа и два пакетирани модула SOT-227, които подобряват плътността на мощността и опростяват процесите на монтаж.
Модулите за захранване осигуряват по-голямо разсейване на мощността, като версиите SOT-227 предлагат разсейване на мощността от 652 W и модула на полумоба, осигуряващ до 2113 W разсейване, осигурявайки засилено термично управление за високопроизводителни приложения.
Semiq Inc., въведе ново семейство от 1700 V SIC MOSFET, предназначени да подобрят приложенията за преобразуване на средно напрежение със средно напрежение.Те включват фотоволтаични и вятърни инвертори, съхранение на енергия, електрическо превозно средство (EV) и крайпътно зареждане, непрекъснати захранващи устройства (UPS) и индукционни системи за отопление/заваряване.
Високоскоростните QSIC 1700 V MOSFET разполагат с равнинен дизайн на D-MOSFET, оптимизиране на размера на системата, плътността на мощността и ефективността на разходите в мащабни приложения.Техният надежден диод на тялото работи до 175 ° C, като компонентите строго се тестват, за да надхвърлят 1900 V, а UL Avalanche тествана до 600 MJ, като гарантира издръжливост и стабилна работа.
Основните спецификации са:
Алуминиева горна страна, никел/сребърна долна страна
Разсейване на мощността: 564 W
Непрекъснато изтичане на ток: 83 A @ 25 ° C
Импулсен дренажен ток: 250 a
Прагово напрежение на портата: 2.7 V @ 25 ° C
Rdson: 31 MΩ @ 25 ° C
Бързо време за възстановяване на обратното: 17 ns
Изтичане на нисък източник на порта
Предлага се както в Bare Die (GP2T030A170X) и TO-247-4L пакетирани форми (GP2T030A170H), QSIC 1700 V устройствата също се предлагат в AEC-Q101 автомобилна версия (AS2T030A170X и AS2T030A170H).Тези устройства предлагат ниски загуби на превключване и проводимост, намален капацитет и здрав оксид на портата за повишена дългосрочна надеждност.Всички компоненти се подлагат на изгаряне на ниво вафли (WLBI), за да елиминират слабите оксидни устройства, гарантирайки оптимална производителност.
Освен това Semiq обяви три модула за захранване, предназначени да опростят системната интеграция.Те включват стандартен отпечатък 62 мм полу-мостов модул с изолирана основа и два пакетирани модула SOT-227, които подобряват плътността на мощността и опростяват процесите на монтаж.
Модулите за захранване осигуряват по-голямо разсейване на мощността, като версиите SOT-227 предлагат разсейване на мощността от 652 W и модула на полумоба, осигуряващ до 2113 W разсейване, осигурявайки засилено термично управление за високопроизводителни приложения.